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【神奈川】開発推進エンジニア（レーザアニール装置） / 休日127日／半導体熱処理技術のプロとして次世代レーザアニール装置の開発をリード
半導体製造の根幹を担うイオン注入装置のリーディングカンパニー
【職務概要】
半導体プロセスにおける熱処理技術を基盤として、レーザアニール装置の開発活動を技術面で推進いただきます。関係各署（機械・電気・制御・光学・プロセス）と連携して装置を作り上げつつ、ご自身もいずれかの技術領域を担当する、開発の中核を担うポジションです。
【職務詳細】
■市場動向に基づく開発内容の策定：顧客訪問や研究部署との連携を通じて、プロセス起点で装置開発のテーマ・方向性を策定
■開発工程のリーディング：商品企画、要素開発、設計、試作、試験、評価、フィードバックまでの一連の活動をリード
■改善案の立案：顧客要望に応じたサンプル処理（デモ機使用）の実施と、その結果に基づく改善案の展開
■不具合対応：リリース後の不具合や改善要求のとりまとめ、各所への展開
【入社後のイメージ】
・入社直後～2年程度：愛媛事業所での装置トレーニング（1～2週間）後、横須賀にて業務フローや装置オペレーションを習得し、開発推進の実務を開始。
・3～5年目以降：適性や志向に応じ、特定技術のエキスパート（プロセス×設計等）や、チームリーダーとしてのマネジメントなど、幅広いキャリアを選択可能です。
募集職種
【神奈川】開発推進エンジニア（レーザアニール装置）
応募資格
【必須】
・半導体製造における熱処理技術に関する知識もしくは実務経験（目安：5年以上）
・英語の扱いに抵抗がない方（読み書きレベル、保有資格不問）
【尚可】
・光学設計のご経験
・機械工学を用いた何らかの機械設計経験（設備設計や治具設計も可）
・駆動機器、振動解析、配管、真空いずれかの知見およびご経験
・産業用機械および大型装置の設計経験
・ビジネスレベルの英語力（商談可能レベル）
雇用形態
正社員
勤務地
神奈川県横須賀市
勤務時間
8：30～17：30 ※フレックス制あり
想定給与
600万円～950万円
■ご経験・能力を考慮し、同社規定により支給
休日／休暇
【年間休日127日※2026年度】完全週休2日制、年末年始、GW、夏季連続休暇、リフレッシュ休暇、慶弔休暇等
待遇／福利厚生
企業年金、確定拠出年金、財形貯蓄制度、育児、介護休暇制度、カフェテリアプラン、各種階層別研修(新入社員研修、新任管理職研修等)、製造特殊工程教育、技術者教育、品質教育、社内英会話教室、社内通信教育制度 等